Speicher-ICs

IS43LD16640C-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32160A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32160A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-3BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-3BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-3BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320A-3BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320C-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320C-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320C-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32320C-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-18BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-18BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-18BPL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LD32640B-18BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LD32640B-18BPLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LD32640B-18BPL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 533MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LD32640B-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS43LD32640B-25BPL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LD32640B-25BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS43LD32640B-25BPLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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