Speicher-ICs

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IS43DR86400D-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.014
IS43DR86400D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.322
IS43DR86400D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.154
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager11.220
IS43DR86400E-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.442
IS43DR86400E-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.032
IS43DR86400E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.392
IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.974
IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.948
IS43LD16128B-18BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager5.058
IS43LD16128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager7.110
IS43LD16128B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager4.374
IS43LD16128B-18BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.802
IS43LD16128B-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.226
IS43LD16128B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.028
IS43LD16128B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager4.050
IS43LD16128B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager5.688
IS43LD16320A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.826
IS43LD16320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.820
IS43LD16640A-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.664
IS43LD16640A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager6.282
IS43LD16640A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.700
IS43LD16640A-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager3.474
IS43LD16640A-3BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.604
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager2.880
IS43LD16640A-3BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager6.174
IS43LD16640A-3BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager4.770
IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager3.348
IS43LD16640C-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager6.606
IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-TFBGA Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)	Auf Lager8.802

IS43DR86400D-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.014

IS43DR86400D-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.322

IS43DR86400D-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.154

IS43DR86400E-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager11.220

IS43DR86400E-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.442

IS43DR86400E-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.032

IS43DR86400E-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.392

IS43DR86400E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.974

IS43DR86400E-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.948

IS43LD16128B-18BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager5.058

IS43LD16128B-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager7.110

IS43LD16128B-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager4.374

IS43LD16128B-18BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager8.802

IS43LD16128B-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager8.226

IS43LD16128B-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager8.028

IS43LD16128B-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager4.050

IS43LD16128B-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager5.688

IS43LD16320A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager2.826

IS43LD16320A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager8.820

IS43LD16640A-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager2.664

IS43LD16640A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager6.282

IS43LD16640A-25BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager2.700

IS43LD16640A-25BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager3.474

IS43LD16640A-3BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager8.604

IS43LD16640A-3BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager2.880

IS43LD16640A-3BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager6.174

IS43LD16640A-3BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager4.770

IS43LD16640C-18BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager3.348

IS43LD16640C-18BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager6.606

IS43LD16640C-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 134-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

Auf Lager8.802

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