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Speicher-ICs

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
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IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
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IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
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IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager5.040
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager6.822
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager7.506
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IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager8.262
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IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager2.322
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IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager8.730
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager8.226
IS43R86400F-6TLI-TR
IS43R86400F-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager5.652
IS43TR16128A-125KBL
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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager6.120
IS43TR16128A-125KBLI
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager4.320
IS43TR16128A-125KBLI-TR
IS43TR16128A-125KBLI-TR

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager3.690
IS43TR16128A-125KBL-TR
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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager3.960
IS43TR16128A-15HBL
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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager5.094
IS43TR16128A-15HBLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager5.256
IS43TR16128A-15HBLI-TR
IS43TR16128A-15HBLI-TR

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager5.274
IS43TR16128A-15HBL-TR
IS43TR16128A-15HBL-TR

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager5.814
IS43TR16128AL-125KBL
IS43TR16128AL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager4.014
IS43TR16128AL-125KBLI
IS43TR16128AL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager3.472
IS43TR16128AL-125KBLI-TR
IS43TR16128AL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager6.048
IS43TR16128AL-125KBL-TR
IS43TR16128AL-125KBL-TR

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager2.988
IS43TR16128AL-15HBL
IS43TR16128AL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
Auf Lager6.768
IS43TR16128AL-15HBLI
IS43TR16128AL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
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