Speicher-ICs

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IS43TR16128C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.048
IS43TR16128C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.578
IS43TR16128C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.052
IS43TR16128C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.768
IS43TR16128CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager23.858
IS43TR16128CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.454
IS43TR16128CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager32.028
IS43TR16128CL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.754
IS43TR16128CL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.100
IS43TR16128CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.284
IS43TR16128CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.434
IS43TR16128D-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.392
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.812
IS43TR16128D-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.704
IS43TR16128D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.950
IS43TR16128DL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.172
IS43TR16128DL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.164
IS43TR16128DL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.344
IS43TR16128DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.024
IS43TR16256A-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.982
IS43TR16256A-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.178
IS43TR16256A-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.794
IS43TR16256A-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.704
IS43TR16256A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.046
IS43TR16256A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager23.350
IS43TR16256A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.449
IS43TR16256A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.474
IS43TR16256A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.727
IS43TR16256A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager17.226
IS43TR16256A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.138

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.048

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.578

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.052

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.768

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager23.858

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.454

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.754

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.100

IS43TR16128CL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.284

IS43TR16128CL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.434

IS43TR16128D-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.392

IS43TR16128D-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.812

IS43TR16128D-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.704

IS43TR16128D-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.950

IS43TR16128DL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.172

IS43TR16128DL-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1866MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.164

IS43TR16128DL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.344

IS43TR16128DL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

2G 1.5V DDR3 128MX16 1600MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.024

IS43TR16256A-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.982

IS43TR16256A-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.178

IS43TR16256A-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.794

IS43TR16256A-107MBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.704

IS43TR16256A-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.046

IS43TR16256A-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager23.350

IS43TR16256A-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.449

IS43TR16256A-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.474

IS43TR16256A-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.727

IS43TR16256A-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager17.226

IS43TR16256A-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.138

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