Speicher-ICs

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IS43TR16128AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.796
IS43TR16128AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.822
IS43TR16128B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.004
IS43TR16128B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.254
IS43TR16128B-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.130
IS43TR16128B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.132
IS43TR16128B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager12.191
IS43TR16128B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.132
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IS43TR16128B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager15.948
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IS43TR16128BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager18.084
IS43TR16128BL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.352
IS43TR16128BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.158
IS43TR16128BL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.554
IS43TR16128C-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.320
IS43TR16128C-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.086
IS43TR16128C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.708
IS43TR16128C-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 195ps Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.084
IS43TR16128C-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.762
IS43TR16128C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager53.709
IS43TR16128C-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager1.202
IS43TR16128C-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.228

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager5.796

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.822

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager5.004

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.254

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager5.130

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.132

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager12.191

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.132

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.352

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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.158

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.086

IS43TR16128C-107MBLI-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.708

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 195ps
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.084

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Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.762

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
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