Speicher-ICs

IS46DR81280C-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 400ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46DR81280C-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 400ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46DR81280C-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 400ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46DR81280C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 450ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46DR81280C-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 450ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46DR81280C-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 450ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46DR81280C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR2
• Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 450ps
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

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IS46LD16640A-25BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD16640A-25BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-25BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-25BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-25BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-25BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-3BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-3BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 134-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 134-TFBGA (10x11.5)

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IS46LD32320A-3BPLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS46LD32320A-3BPLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS46LD32320A-3BPLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS46LD32320A-3BPLA25

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS46LD32320A-3BPLA25-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS46LD32320A-3BPLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 333MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-VFBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)

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IS46LR16320B-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320B-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320B-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320B-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320C-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320C-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320C-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR16320C-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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IS46LR32160B-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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