Speicher-ICs

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IS46DR16128C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.436
IS46DR16128C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.960
IS46DR16128C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.958
IS46DR16160B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.976
IS46DR16160B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.374
IS46DR16160B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.528
IS46DR16160B-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.988
IS46DR16160B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.130
IS46DR16160B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.740
IS46DR16160B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.794
IS46DR16160B-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.922
IS46DR16320C-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.200
IS46DR16320C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.400
IS46DR16320C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.302
IS46DR16320C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.930
IS46DR16320C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.986
IS46DR16320C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.580
IS46DR16320D-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.300
IS46DR16320D-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.490
IS46DR16320D-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager8.280
IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.966
IS46DR16320D-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.626
IS46DR16320D-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.554
IS46DR16320D-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.884
IS46DR16320D-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.452
IS46DR16320E-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.938
IS46DR16320E-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager7.128
IS46DR16320E-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.814
IS46DR16320E-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.624
IS46DR16320E-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager8.838

IS46DR16128C-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.436

IS46DR16128C-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.960

IS46DR16128C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.958

IS46DR16160B-25DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.976

IS46DR16160B-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.374

IS46DR16160B-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.528

IS46DR16160B-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.988

IS46DR16160B-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.130

IS46DR16160B-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.300

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.490

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager8.280

IS46DR16320D-25DBLA2-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.966

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.626

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.554

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager7.884

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
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