Speicher-ICs

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IS46DR16320E-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)	Auf Lager5.040
IS46DR16320E-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.456
IS46DR16320E-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.454
IS46DR16640B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.942
IS46DR16640B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.490
IS46DR16640B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.178
IS46DR16640B-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager5.058
IS46DR16640B-25EBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.930
IS46DR16640B-25EBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.240
IS46DR16640B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.394
IS46DR16640B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.150
IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.518
IS46DR16640B-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.988
IS46DR16640C-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.502
IS46DR16640C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.754
IS46DR16640C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager3.492
IS46DR16640C-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.754
IS46DR16640C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.282
IS46DR16640C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager6.930
IS46DR16640C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager4.824
IS46DR16640C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)	Auf Lager2.286
IS46DR81280B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.718
IS46DR81280B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.318
IS46DR81280B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.586
IS46DR81280B-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.668
IS46DR81280B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.230
IS46DR81280B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.644
IS46DR81280B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.434
IS46DR81280B-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager5.166
IS46DR81280C-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.212

IS46DR16320E-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-WBGA (8x12.5)

Auf Lager5.040

IS46DR16320E-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.456

IS46DR16320E-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.454

IS46DR16640B-25DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.942

IS46DR16640B-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.490

IS46DR16640B-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.178

IS46DR16640B-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager5.058

IS46DR16640B-25EBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.930

IS46DR16640B-25EBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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IS46DR16640B-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.394

IS46DR16640B-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.150

IS46DR16640B-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.518

IS46DR16640B-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

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IS46DR16640C-25DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.502

IS46DR16640C-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.754

IS46DR16640C-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager3.492

IS46DR16640C-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.754

IS46DR16640C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.282

IS46DR16640C-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager6.930

IS46DR16640C-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager4.824

IS46DR16640C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)

Auf Lager2.286

IS46DR81280B-25DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.718

IS46DR81280B-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.318

IS46DR81280B-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.586

IS46DR81280B-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.668

IS46DR81280B-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.230

IS46DR81280B-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.644

IS46DR81280B-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.434

IS46DR81280B-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 450ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager5.166

IS46DR81280C-25DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR2
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 400ps
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.212

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