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NVMFS5885NLWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 54W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.948
NVMFS5885NLWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 54W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.658
NVMFS5A140PLZT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -40V4.2MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.562
NVMFS5A140PLZT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -40V4.2MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager6.300
NVMFS5A140PLZWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -40V4.2MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.870
NVMFS5A140PLZWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -40V4.2MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 140A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager7.524
NVMFS5A160PLZT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -60V7.7MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.358
NVMFS5A160PLZT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -60V7.7MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager5.670
NVMFS5A160PLZWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -60V7.7MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager17.190
NVMFS5A160PLZWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single -60V7.7MOHMSINGLE Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.456
NVMFS5C404NAFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.690
NVMFS5C404NAFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.906
NVMFS5C404NLAFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager13.848
NVMFS5C404NLAFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.196
NVMFS5C404NLT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 352A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.510
NVMFS5C404NLT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 352A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.060
NVMFS5C404NLWFAFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager16.794
NVMFS5C404NLWFAFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 370A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager2.304
NVMFS5C404NLWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 352A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.022
NVMFS5C404NLWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 352A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12168pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.694
NVMFS5C404NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.194
NVMFS5C404NT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.914
NVMFS5C404NWFAFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager4.752
NVMFS5C404NWFAFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager8.352
NVMFS5C404NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.276
NVMFS5C404NWFT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 378A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.716
NVMFS5C406NLT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 362A Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 362A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700µOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 179W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.204
NVMFS5C406NLWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 362A Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Ta), 362A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700µOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 179W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.654
NVMFS5C406NT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 40V SG NCH SO8FL HEFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Ta), 353A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7288pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 179W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager8.082
NVMFS5C406NWFT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single T6 40V SG NCH SO8FL HEFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Ta), 353A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7288pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 179W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads	Auf Lager3.598

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