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TPH3206LSB Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 16A PQFN Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 480V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 81W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PQFN (8x8) Paket / Fall: 3-PowerDFN	Auf Lager6.192
TPH3206PD Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 600V 17A TO220 Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager9.192
TPH3206PS Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 600V 17A TO220 Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 480V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.118
TPH3206PSB Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 16A TO220AB Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 480V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 81W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager10.656
TPH3207WS Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 50A TO247 Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2197pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 178W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.320
TPH3208LD Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 20A PQFN Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-PQFN (8x8) Paket / Fall: 4-PowerDFN	Auf Lager4.428
TPH3208LDG Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 20A PQFN Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PQFN (8x8) Paket / Fall: 3-PowerDFN	Auf Lager9.528
TPH3208LS Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 20A PQFN Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PQFN (8x8) Paket / Fall: 3-PowerDFN	Auf Lager5.778
TPH3208LSG Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PQFN (8x8) Paket / Fall: 3-PowerDFN	Auf Lager6.960
TPH3208PD Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 20A TO220 Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.892
TPH3208PS Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 20A TO220 Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.416
TPH3212PS Transphorm	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 650V 27A TO220 Hersteller: Transphorm Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.916
TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.518
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 88A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager22.296
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 44W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager52.056
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 92A TSON Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 92A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 0.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 81W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager947.442
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager33.012
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.496
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 92A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6.3nF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 67W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.444
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.578
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3965pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 63W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.076
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 26A SOP8 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.924
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager104.820
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager43.596
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 57W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager143.088
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 30V 38A 8SOP Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta), 34W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.470
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 87A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 81W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.334
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVIII-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 54W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.986
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1875pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 81W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager103.212
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIX-H FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Advance (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager51.822

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