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SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 30V Leistung - max: 2W (Ta), 2.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager19.212
SI4947ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.724
SI4947ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.820
SI4948BEY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager158.910
SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager20.934
SI4952DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V Leistung - max: 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.986
SI4952DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V Leistung - max: 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.822
SI4953ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.424
SI4953ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.808
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager63.336
SI4963BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.870
SI4965DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.444
SI4965DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.930
SI4966DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.856
SI4966DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.464
SI4967DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.078
SI4967DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.838
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A, 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Leistung - max: 3.1W, 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.102
SI4972DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.8A, 7.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V Leistung - max: 3.1W, 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.992
SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.254
SI4973DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.418
SI4974DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.842
SI4992EY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.880
SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.470
SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Leistung - max: 3.12W, 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager358.974
SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A, 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Leistung - max: 3.12W, 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager212.802
SI5504DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager2.826
SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager8.460
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Leistung - max: 4.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager5.472
SI5509DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Leistung - max: 4.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: 1206-8 ChipFET™	Auf Lager4.068

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