Transistoren

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SI4563DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V Leistung - max: 3.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.316
SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Leistung - max: 3.1W, 3.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.168
SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A, 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.264
SI4565ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A, 5.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.040
SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A, 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V Leistung - max: 2.75W, 2.95W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.428
SI4567DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A, 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V Leistung - max: 2.75W, 2.95W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.318
SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A, 7.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Leistung - max: 3.1W, 3.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.190
SI4569DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A, 7.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V Leistung - max: 3.1W, 3.2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.276
SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V Leistung - max: 2.4W, 3.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.640
SI4599DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A, 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V Leistung - max: 3W, 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager240.156
SI4618DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A, 15.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1535pF @ 15V Leistung - max: 1.98W, 4.16W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.740
SI4618DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A, 15.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1535pF @ 15V Leistung - max: 1.98W, 4.16W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager9.779
SI4622DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: SkyFET®, TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2458pF @ 15V Leistung - max: 3.3W, 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.814
SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: SkyFET®, TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2458pF @ 15V Leistung - max: 3.3W, 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.618
SI4650DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 15V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.482
SI4670DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V Leistung - max: 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.860
SI4670DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 13V Leistung - max: 2.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.670
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.716
SI4804BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.312
SI4804CDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.148
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 15V Leistung - max: 3.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager22.944
SI4808DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.646
SI4808DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.014
SI4814BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 10.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 3.3W, 3.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.768
SI4814BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A, 10.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 3.3W, 3.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.166
SI4816BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1W, 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager24.168
SI4816BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A, 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1W, 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager22.818
SI4816DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A, 7.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1W, 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.140
SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A, 7.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1W, 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.298
SI4818DY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: LITTLE FOOT® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1W, 1.25W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.830

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