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SIZ904DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

• Hersteller: Vishay Siliconix
• Serie: TrenchFET®
• FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A, 16A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 15V
• Leistung - max: 20W, 33W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 6-PowerPair™
• Lieferantengerätepaket: 6-PowerPair™

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CSD85302L

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 5A

• Hersteller:
• Serie: NexFET™
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (Max) @ Id: -
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• Leistung - max: 1.7W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 4-XFLGA
• Lieferantengerätepaket: 4-Picostar (1.31x1.31)

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DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

• Hersteller: Diodes Incorporated
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
• Leistung - max: 2.8W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-PowerTDFN
• Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8

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SH8KA4TB

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

• Hersteller: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
• FET-Funktion: -
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
• Leistung - max: 3W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SOP

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AON3611

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN

• Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Serie: -
• FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A, 6A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V
• Leistung - max: 2.1W, 2.5W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead
• Lieferantengerätepaket: 8-DFN (2.9x2.3)

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FDPC8013S

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: PowerTrench®
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A, 26A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 15V
• Leistung - max: 800mW, 900mW
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-PowerWDFN
• Lieferantengerätepaket: Powerclip-33

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ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

• Hersteller: Diodes Incorporated
• Serie: -
• FET-Typ: N and P-Channel
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A, 2.1A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
• Leistung - max: 1.7W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)

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CSD85312Q3E

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

• Hersteller:
• Serie: NexFET™
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive
• Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
• Leistung - max: 2.5W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-PowerVDFN
• Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3)

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FDMB3900AN

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: PowerTrench®
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 13V
• Leistung - max: 800mW
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-PowerWDFN
• Lieferantengerätepaket: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

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DMP6110SSD-13

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

• Hersteller: Diodes Incorporated
• Serie: -
• FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V
• Leistung - max: 1.2W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SO

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AO6608

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP

• Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Serie: -
• FET-Typ: N and P-Channel Complementary
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V, 510pF @ 10V
• Leistung - max: 1.25W (Ta)
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-74, SOT-457
• Lieferantengerätepaket: 6-TSOP

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DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26

• Hersteller: Diodes Incorporated
• Serie: -
• FET-Typ: N and P-Channel
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA, 3.2A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 26.2pF @ 10V
• Leistung - max: 1.2W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Lieferantengerätepaket: TSOT-26

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TC8220K6-G

Microchip Technology

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN

• Hersteller: Microchip Technology
• Serie: -
• FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 25V
• Leistung - max: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 12-VFDFN Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: 12-DFN (4x4)

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CSD86330Q3D

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

• Hersteller:
• Serie: NexFET™
• FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
• Leistung - max: 6W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-PowerLDFN
• Lieferantengerätepaket: 8-LSON (3.3x3.3)

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FDS89161

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: PowerTrench®
• FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Standard
• Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
• Leistung - max: 1.6W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SOIC

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SIZ918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

• Hersteller: Vishay Siliconix
• Serie: TrenchFET®
• FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A, 28A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
• Leistung - max: 29W, 100W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-PowerWDFN
• Lieferantengerätepaket: 8-PowerPair® (6x5)

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IRF7329TRPBF

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: HEXFET®
• FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
• Leistung - max: 2W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SO

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IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: HEXFET®
• FET-Typ: 2 P-Channel (Dual)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
• Leistung - max: 2W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 8-SO

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CSD87381P

Texas Instruments

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

• Hersteller:
• Serie: NexFET™
• FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET-Funktion: Logic Level Gate
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V
• Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
• Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 15V
• Leistung - max: 4W
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 5-LGA
• Lieferantengerätepaket: 5-PTAB (3x2.5)

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2SK1070PICTL-E

Renesas Electronics America

Transistoren - JFETs

JFET N-CH MPAK

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 22V
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 5V
• Stromaufnahme (Id) - max: 50mA
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 0V @ 10µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 5V
• Widerstand - RDS (Ein): -
• Leistung - max: 150mW
• Betriebstemperatur: 150°C
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: 3-MPAK

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2N5115

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

IC JUNCTION FET P-CH TO-18

• Hersteller: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• FET-Typ: P-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
• Stromaufnahme (Id) - max: -
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
• Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
• Leistung - max: 500mW
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• Lieferantengerätepaket: TO-18

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2N3820

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92

• Hersteller: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• FET-Typ: P-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 20V
• Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300mA @ 10V
• Stromaufnahme (Id) - max: -
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 8V @ 10µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
• Widerstand - RDS (Ein): -
• Leistung - max: 360mW
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Lieferantengerätepaket: TO-92

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SST201-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V .7MA SOT-23

• Hersteller: Vishay Siliconix
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
• Stromaufnahme (Id) - max: -
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
• Widerstand - RDS (Ein): -
• Leistung - max: 350mW
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23

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J112

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CHAN 35V TO92

• Hersteller: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• Stromaufnahme (Id) - max: -
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
• Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
• Leistung - max: 350mW
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Lieferantengerätepaket: TO-92

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2SK3796-3-TL-E

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
• Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
• Stromaufnahme (Id) - max: 10mA
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
• Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms
• Leistung - max: 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-75, SOT-416
• Lieferantengerätepaket: SMCP

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CMPFJ175 TR

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

IC JFET P-CH SOT23-3

• Hersteller: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• FET-Typ: P-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
• Stromaufnahme (Id) - max: -
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
• Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms
• Leistung - max: 350mW
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23

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CMPF4392 TR

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

• Hersteller: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
• Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
• Stromaufnahme (Id) - max: -
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms
• Leistung - max: 350mW
• Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23

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TF202THC-4-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 0.1W VTFP

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V
• Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V
• Widerstand - RDS (Ein): -
• Leistung - max: 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
• Lieferantengerätepaket: 3-VTFP

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TF262TH-4-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 1MA 100MW

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
• Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 2V
• Widerstand - RDS (Ein): -
• Leistung - max: 100mW
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
• Lieferantengerätepaket: VTFP

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TF252TH-4A-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 1MA 100MW

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• FET-Typ: N-Channel
• Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
• Drain to Source Voltage (Vdss): -
• Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
• Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
• Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA
• Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V
• Widerstand - RDS (Ein): -
• Leistung - max: 100mW
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
• Lieferantengerätepaket: VTFP

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