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MMBF4391LT1
MMBF4391LT1

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager866
2N5461
2N5461

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 135°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager6.332
2N5458
2N5458

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 310mW
  • Betriebstemperatur: 135°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager4.745
PMBFJ174,215

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 85 Ohms
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager85.079
PMBFJ176,215

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 250 Ohms
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager109
PMBFJ108,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager1
PMBFJ310,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager2.058
PMBFJ112,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager2
PMBFJ111,215

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager48.074
BFR30,215
BFR30,215

NXP

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 10mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 0.5nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager155
BFT46,215
BFT46,215

NXP

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

  • Hersteller: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 10mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 0.5nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 250mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)
Auf Lager1
2N4858
2N4858

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500/385
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms
  • Leistung - max: 360mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager1.031
2N5115
2N5115

Microsemi

Transistoren - JFETs

P CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: Military, MIL-PRF-19500
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)
Auf Lager987
2N4393
2N4393

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager11.723
2N4392
2N4392

Microsemi

Transistoren - JFETs

N CHANNEL JFET

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager18.915
2N4117A
2N4117A

MICROSS/On Semiconductor

Transistoren - JFETs

DIE MOSFET N-CH 40V

  • Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager14.799
NSVJ2394SA3T1G
NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

IC JFET N-CH LNA SC59-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 15V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 50mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 700mV @ 100µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 200mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SC-59-3/CP3
Auf Lager1.375
MMBFJ111
MMBFJ111

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager30.244
MMBFJ201
MMBFJ201

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager130.169
MMBFJ112
MMBFJ112

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager238.802
CMPF4416A TR
CMPF4416A TR

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 10MA SOT23

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager30.532
2SK2394-7-TB-E
2SK2394-7-TB-E

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50MA 200MW CP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 50mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 200mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: 3-CP
Auf Lager8.507
2SK3666-2-TB-E
2SK3666-2-TB-E

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET NCH 30V 200MW 3CP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 10mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): 200 Ohms
  • Leistung - max: 200mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: 3-CP
Auf Lager9.943
SMMBF4393LT1G
SMMBF4393LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.153
2SK545-11D-TB-E
2SK545-11D-TB-E

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 1MA 125MW CP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.7pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 125mW
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: 3-CP
Auf Lager212
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50MA 200MW CP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 50mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 200mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: 3-CP
Auf Lager12.396
MMBFJ108
MMBFJ108

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 350MW SSOT3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): 8 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3
Auf Lager1
2SK208-R(TE85L,F)
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Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50V S-MINI

  • Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 6.5mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: S-Mini
Auf Lager45.275
MMBF4391
MMBF4391

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager3.278
MMBF4393LT3G
MMBF4393LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager45.156