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IXGR50N60BD1

IXGR50N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR50N60BD1
PNEDA Teilenummer IXGR50N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.910
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGR50N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR50N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR50N60BD1, IXGR50N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 565,58 KB)
PDFIXGR50N60B Datenblatt Cover
IXGR50N60B Datenblatt Seite 2 IXGR50N60B Datenblatt Seite 3 IXGR50N60B Datenblatt Seite 4 IXGR50N60B Datenblatt Seite 5

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IXGR50N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Leistung - max250W
Schaltenergie3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/110ns
Testbedingung480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

3.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

STGP10NC60K

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

HGTG30N60C3D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

252A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

1.05mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

162nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT50GT120B2RG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

94A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

2330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/230ns

Testbedingung

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX4™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 160A

Leistung - max

1200W

Schaltenergie

4.4mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

553nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/245ns

Testbedingung

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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