Speicher-ICs

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IS43LR16640A-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager3.222
IS43LR16640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager5.580
IS43LR16640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager4.554
IS43LR16640A-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager5.796
IS43LR16640A-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager5.688
IS43LR16640A-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager4.752
IS43LR16640A-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)	Auf Lager3.472
IS43LR16800F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager3.294
IS43LR16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager3.618
IS43LR16800F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager6.084
IS43LR16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager3.906
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IS43LR16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager4.482
IS43LR16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager2.718
IS43LR16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)	Auf Lager3.454
IS43LR32100C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.300
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IS43LR32100C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.168
IS43LR32100C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.832
IS43LR32100D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.906
IS43LR32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.634
IS43LR32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.030
IS43LR32100D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 32Mb (1M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager8.496
IS43LR32160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.186
IS43LR32160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.112
IS43LR32160B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager4.014
IS43LR32160B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.862
IS43LR32160C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.016
IS43LR32160C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager7.416
IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.850

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager3.222

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager5.580

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager4.554

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager5.796

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager5.688

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager4.752

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TWBGA (8x10)

Auf Lager3.472

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

Auf Lager3.294

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

Auf Lager3.618

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

Auf Lager3.078

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x10)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.300

IS43LR32100C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager2.736

IS43LR32100C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager3.168

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager5.832

IS43LR32100D-6BL

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager3.906

IS43LR32100D-6BLI

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager5.634

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.030

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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager8.496

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager3.186

IS43LR32160B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager5.112

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager4.014

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager2.862

IS43LR32160C-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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