Speicher-ICs

IS43LR32800F-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43LR32800F-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43LR32800F-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43LR32800G-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43LR32800G-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43LR32800G-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43LR32800G-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
• Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS43QR16256A-083RBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.2GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-083RBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.2GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-083RBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.2GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-083RBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.2GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-093PBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-093PBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.05GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-093PBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256A-093PBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IS43QR16256B-083RBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G DDR4 256MX16 BGA(96)

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.2GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-BGA
• Lieferantengerätepaket: 96-BGA

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IS43QR16256B-083RBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G DDR4 256MX16 BGA(96)

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR4
• Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.2GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: -
• Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 96-BGA
• Lieferantengerätepaket: 96-BGA

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IS43R16160B-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160B-5TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160B-5TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x13)

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IS43R16160D-5TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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IS43R16160D-5TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - DDR
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 700ps
• Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II

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