Speicher-ICs

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IS43LR32160C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 512Mb (16M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager4.842
IS43LR32200B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.246
IS43LR32200B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.762
IS43LR32200C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.250
IS43LR32200C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.318
IS43LR32320B-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager4.572
IS43LR32320B-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager3.598
IS43LR32320B-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager2.250
IS43LR32320B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager5.454
IS43LR32320B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager2.862
IS43LR32320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager5.634
IS43LR32320B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager5.760
IS43LR32320B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 64Mb (2M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)	Auf Lager7.128
IS43LR32400F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager8.730
IS43LR32400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.898
IS43LR32400F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.024
IS43LR32400F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.340
IS43LR32400G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager7.686
IS43LR32400G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager3.582
IS43LR32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager4.806
IS43LR32400G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.286
IS43LR32640A-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager8.928
IS43LR32640A-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager7.560
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager5.364
IS43LR32640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager2.124
IS43LR32640A-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager5.958
IS43LR32640A-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager7.056
IS43LR32640A-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager2.862
IS43LR32640A-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 2Gb (64M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-LFBGA Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)	Auf Lager2.466
IS43LR32800F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager7.848

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager4.842

IS43LR32200B-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.246

IS43LR32200B-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager3.762

IS43LR32200C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager2.250

IS43LR32200C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager6.318

IS43LR32320B-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)

Auf Lager4.572

IS43LR32320B-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)

Auf Lager3.598

IS43LR32320B-5BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)

Auf Lager2.250

IS43LR32320B-5BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 1Gb (32M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)

Auf Lager5.454

IS43LR32320B-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
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IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)

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IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-LFBGA (8x13)

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IC DRAM 64M PARALLEL 90LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager7.686

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager3.582

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager4.806

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

Auf Lager2.286

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IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager8.928

IS43LR32640A-5BLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager7.560

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager5.364

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IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager2.124

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IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager5.958

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IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager7.056

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager2.862

IS43LR32640A-6BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR
Speichergröße: 2Gb (64M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

Auf Lager2.466

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße: 256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 90-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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