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Speicher-ICs

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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
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  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager2.088
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager8.406
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager7.542
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Zugriffszeit: 700ps
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  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager7.344
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Zugriffszeit: 700ps
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Auf Lager6.912
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager4.554
IS43R16160F-6BL-TR
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IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (13x8)
Auf Lager3.528
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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Auf Lager15.408
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
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Auf Lager12.504
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager6.372
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IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II
Auf Lager8.190
IS43R16320D-5BL
IS43R16320D-5BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x13)
Auf Lager5.922
IS43R16320D-5BLI
IS43R16320D-5BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 200MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 700ps
  • Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 60-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (8x13)
Auf Lager8.784