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Speicher-ICs

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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Zugriffszeit: 20ns
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 96-TFBGA
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
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  • Paket / Fall: 96-TFBGA
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3L
  • Speichergröße: 1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
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  • Paket / Fall: 96-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
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  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
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  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 933MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
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  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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IS43TR81280B-125JBLI
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
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  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
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  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
Auf Lager2.178
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
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  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
Auf Lager6.570
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 800MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
Auf Lager6.228
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
Auf Lager6.300
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IS43TR81280B-15GBLI

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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IS43TR81280B-15GBLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR3
  • Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 667MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 20ns
  • Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 78-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)
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