Speicher-ICs

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IS43TR81280BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.478
IS43TR81280BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.066
IS43TR81280BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.622
IS43TR81280BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.284
IS43TR81280BL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.340
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.570
IS43TR81280BL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.696
IS43TR81280BL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.416
IS43TR81280BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager5.328
IS43TR81280BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.158
IS43TR82560B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.696
IS43TR82560B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.420
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.826
IS43TR82560B-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.700
IS43TR82560B-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.824
IS43TR82560B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.088
IS43TR82560BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.514
IS43TR82560BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.870
IS43TR82560BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager5.940
IS43TR82560BL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.460
IS43TR82560BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager8.676
IS43TR82560BL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.452
IS43TR82560C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.508
IS43TR82560C-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.376
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.808
IS43TR82560C-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.650
IS43TR82560C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager6.120
IS43TR82560C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.320
IS43TR82560CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager3.490
IS43TR82560CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.754

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.478

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.066

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager8.622

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.284

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.340

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.570

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager6.696

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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.416

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Speicher

IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
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Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
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Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
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Montagetyp: Surface Mount
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Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Technologie: SDRAM - DDR3L
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Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
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Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
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Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
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Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.808

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Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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