Speicher-ICs

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IS43TR82560CL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager2.376
IS43TR82560CL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager5.166
IS43TR82560CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager7.416
IS43TR82560CL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)	Auf Lager4.104
IS43TR82560D-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.732
IS43TR85120A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager10.524
IS43TR85120A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager7.830
IS43TR85120A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager2.970
IS43TR85120A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager5.652
IS43TR85120A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager8.874
IS43TR85120A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager7.110
IS43TR85120A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager6.714
IS43TR85120A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager8.334
IS43TR85120AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager7.974
IS43TR85120AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager16.044
IS43TR85120AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager5.526
IS43TR85120AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager3.006
IS43TR85120AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager3.436
IS43TR85120AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager4.176
IS43TR85120AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager2.100
IS43TR85120AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)	Auf Lager7.200
IS45S16100C1-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)	Auf Lager6.552
IS45S16100C1-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)	Auf Lager4.518
IS45S16100C1-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager6.300
IS45S16100C1-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager2.100
IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)	Auf Lager2.394
IS45S16100E-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)	Auf Lager6.426
IS45S16100E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager8.388
IS45S16100E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager8.046
IS45S16100H-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)	Auf Lager8.910

IS43TR82560CL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager2.376

IS43TR82560CL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager5.166

IS43TR82560CL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager7.416

IS43TR82560CL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (8x10.5)

Auf Lager4.104

IS43TR82560D-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: *
Speichertyp: -
Speicherformat: -
Technologie: -
Speichergröße: -
Speicherschnittstelle: -
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: -
Betriebstemperatur: -
Montagetyp: -
Paket / Fall: -
Lieferantengerätepaket: -

Auf Lager6.732

IS43TR85120A-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager10.524

IS43TR85120A-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager7.830

IS43TR85120A-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager2.970

IS43TR85120A-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager5.652

IS43TR85120A-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager8.874

IS43TR85120A-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager7.110

IS43TR85120A-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager6.714

IS43TR85120A-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager8.334

IS43TR85120AL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager7.974

IS43TR85120AL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager16.044

IS43TR85120AL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager5.526

IS43TR85120AL-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager3.006

IS43TR85120AL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager3.436

IS43TR85120AL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager4.176

IS43TR85120AL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager2.100

IS43TR85120AL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 78-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 78-TWBGA (9x10.5)

Auf Lager7.200

IS45S16100C1-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)

Auf Lager6.552

IS45S16100C1-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 60MINIBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-MiniBGA (6.4x10.1)

Auf Lager4.518

IS45S16100C1-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

Auf Lager6.300

IS45S16100C1-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

Auf Lager2.100

IS45S16100E-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)

Auf Lager2.394

IS45S16100E-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)

Auf Lager6.426

IS45S16100E-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

Auf Lager8.388

IS45S16100E-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

Auf Lager8.046

IS45S16100H-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM
Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.5ns
Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)

Auf Lager8.910

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message