Speicher-ICs

IS45S16100H-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)

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IS45S16100H-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)

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IS45S16100H-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 60-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 60-TFBGA (6.4x10.1)

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IS45S16100H-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

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IS45S16100H-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

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IS45S16160D-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS45S16160D-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS45S16160D-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6CTLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS45S16160G-7CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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