Speicher-ICs

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
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• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (4M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
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• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
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