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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
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  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
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  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager7.380
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.232
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager3.798
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager5.148
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager5.220
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager3.276
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager2.916
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager2.592
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.178
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager8.010
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager5.760
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager4.266
IS45S32400F-7BLA2
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager7.524
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager8.748
IS45S32400F-7TLA1
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager3.240
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager6.084
IS45S32400F-7TLA2
IS45S32400F-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager5.724