Speicher-ICs

IS45S16800F-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS45S32200E-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200E-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200E-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200E-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200E-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200E-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200E-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200E-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200E-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200E-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200E-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200E-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200L-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200L-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200L-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200L-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200L-6TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200L-6TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200L-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS45S32200L-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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IS45S32200L-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 143MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II

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